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市場調査レポート

2011年のSiC市場

SiC Market 2011

発行 Yole Developpement
出版日 2011年11月 商品コード 219497
ページ情報 英文  
価格
US$ 5,390 換算 ¥ 434,272 (税抜) PDF by E-mail (Single user license)
US$ 7,990 換算 ¥ 643,754 (税抜) PDF by E-mail (Corporate Use License)


2011年のSiC市場」は2011年11月にヨール・デベロップメントより発行されました。 当レポートは税抜¥434,272より販売しています。

概要

炭化ケイ素(SiC)デバイスの市場には、ダイオードとトランジスターというパワーエレクトロニクス業界で最も大きな期待を集めているデバイスが含まれており、2011年にはRohmとCREEがSiCを使用した初めてのMOSFETを投入しています。これらのデバイスは、すでに空調機器やモーター駆動装置、太陽光発電(PV)インバーターなどで使用されており、SiCの付加価値を最大限生かすことができるようなパッケージング技術の開発にも多大な努力が傾注されています。2010年のSiCデバイス市場は5,000万ドルを上回る規模であり、その中心は力率改善(PFC)システムやPVインバーターですが、今後は電気自動車(EV)やハイブリッド電気自動車(HEV)などでも使用されるようになり、市場のなかで大きな比重を占めるようになると予想されます。

当レポートは、世界のSiC市場を取り上げ、各種用途向け製品市場の2020年までの見通しやSiC基板市場の動向などを分析したもので、SiCデバイスの有効市場や関連業界の展望、デバイスやパワーモジュールを含めたSiC技術の解説なども盛り込み、概略以下の構成でお届けいたします。

用語集

エグゼクティブサマリー

シリコンからSiCへ:有効市場の分析

SiC業界の展望

低電圧用途

  • PFC

中電圧用途

  • EVとHEV
  • ソーラーモジュール用インバーター
  • 無停電電源装置(UPS)
  • 産業用ACモーター駆動装置
  • 空調設備

高電圧用途

  • 鉄道
  • スマートグリッド
  • 船舶
  • 風力発電

SiC基板市場:nタイプとS.I.

SiCエピタキシー市場

SiC技術:デバイスとパワーモジュール

付録

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