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市場調査レポート
スーパージャンクションMOSFET
Super Junction MOSFET
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「スーパージャンクションMOSFET」は2011年06月にヨール・デベロップメントより発行されました。 当レポートは税抜￥434,272より販売しています。
スーパージャンクションMOSFET（SJ-MOSFET）は、インバーターなどで使用されており、低コスト、省スペース、高効率という特徴を備えています。SJ-MOSFETの生産は、深刻な景気後退が続いていた2009年に減速しましたが、2010年には一転して品薄状態となりました。SJ-MOSFETの生産工程では独自技術が多用されているため、ファウンドリーへのアウトソーシングが難しく、需要の急激な変化に対応するには限界があります。このため、今後需要が急速に伸びた場合には、比較的小規模のメーカーにもビジネスチャンスが巡ってくる可能性があります。現在の市場では、InfineonとSTMicroelectronicsが90％のシェアを有しており、VishayやFairchild、東芝などの新規参入企業が残りのシェアを争っている状態です。
当レポートは、SJ-MOSFET市場のトレンドと詳細なデータを明らかにするとともに、製造技術や各種用途に対応する技術などを詳述したもので、主要企業の詳細なプロファイルと戦略、新規参入企業の現状、技術や用途面のトレンドと今後の発展に関する分析なども盛り込み、概略以下の構成でお届けいたします。
イントロダクション
エグゼクティブサマリー
- パワーエレクトロニクス市場
- SJ-MOSFETの位置づけ
- 2009年の世界パワーエレクトロニクス市場の規模
- SJ-MOSFETを含む各種デバイスの市場
- パワーエレクトロニクス製品メーカーのSJ-MOSデバイスへの対応
SJ-MOSFETの用途
- イントロダクション
- EV/HEV
- 太陽光発電システム用インバーター
- 無停電電源装置（UPS）
- 液晶テレビ
- 照明機器
- コンピューター用電源
- デスクトップコンピューター
- ラップトップコンピューター
- サーバー
- 他の各種電源
SJ-MOSデバイスの用途面のトレンド
- 高電圧用途への移行
- 窒化ガリウム（GaN）系デバイスとスーパージャンクションデバイスとの競合
- パワーエレクトロニクス市場におけるGaNデバイスの見通し
- 2011年までのGaNデバイスとSJ-MOSデバイスの競合状況
- GaN製品投入のロードマップ
- SJ-MOSデバイス市場のトレンドに関する結論
SJ-MOSデバイスの用途に関する結論
- 各市場の成長促進要因
- 2010年の用途別市場
- 2016年までの市場予測
SJ-MOSFET市場
- パワーエレクトロニクスディスクリートデバイス
- 2010年の技術別市場
- 2010年の主要企業の市場シェア
- SJ-MOSFETのサプライチェーン
- 2009〜2016年の市場予測
- 予測と見積もりの前提条件
- 2010〜2016年のSJ-MOSFETデバイスの生産見通し
- 2007〜2016年のSJ-MOSFET用ウエハーの消費量
- 2010年のSJ-MOSFET用ウエハー市場のシェア
- SJ-MOSFETの用途−パワーレンジ別
- 2010年の用途別市場
- 品薄状況
- SJ-MOSFET市場についての結論
SJ-MOSFETの技術
- 開発の歴史
- マルチエピ技術とディープトレンチ技術
- マルチエピ技術
- ディープトレンチ技術
- コスト分析
- 研究開発分野におけるこれまでの実績
- 各社の動向
- 結論
SJ-MOSFETの付加価値
- 従来型パワーMOSFET
- スーパージャンクション技術の原理
- 特徴と利点
- シリコン、SJ-MOS、炭化シリコン（SiC）の比較
- 電圧および周波数別市場におけるSJ-MOSFETの位置づけ
技術と主要企業のプロファイル
- 主要企業の市場シェア
- InfineonのCoolmos技術
- STMicroelectronicsのMdmesh技術
- 東芝のDTMOS技術
- FairchildのSUPERFETとSUPERMOS
- VishayのSJ MOSデバイス
新規参入企業：富士電機、ルネサス、AOS、HH-NEC
- 富士電機
- ルネサスエレクトロニクス
- 上海華虹NEC電子（HH-NEC）
- HH-NECの技術開発のロードマップ
- Alpha Omega Semiconductor
- SJ MOSモジュールメーカー
- 結論
SJ-MOSFET市場についての結論
付録
SJ-MOSデバイスのリバースエンジニアリング
- 構造比較−マルチエピ
- 構造比較−図
- 構造比較−寸法
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