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市場調査レポート

歪シリコン技術の世界的発展

Global Advances in Strained Silicon Technology

発行 Technical Insights, Inc. お電話でのお問い合わせ
出版日 2007/12 ページ情報  
商品コード 59035
価格 US $ 6,000 換算 -> ¥ 549,000 (税抜) より 価格一覧
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概要 原文目次
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当報告書では、歪シリコン技術の世界的発展の分析とともに、技術採択に影響を与える因子、応用シナリオ、主要な開発などについて、概略下記の構成で取り上げております。

第1章 エグゼクティブサマリー

  • 調査範囲と調査方法
    • 調査範囲
    • 調査方法
  • 歪シリコン技術の概要と主な研究成果
    • 歪シリコン技術の概要
    • 主な研究成果

第2章 歪シリコン−技術評価と応用

  • 技術評価
    • 歪シリコン技術の発展
    • 歪シリコンへのアプローチ
  • 技術開発シナリオ
    • SOIと歪SOI
    • 応用シナリオ

第3章 技術導入因子の分析

  • 技術導入に影響を与える要因−促進因子と阻害因子
    • 成長促進因子
    • 産業の課題
  • 利益と制限−技術ニーズ分析
    • 利益と制限
    • 技術ニーズ分析

第4章 シナリオとインパクト解析

  • シナリオ分析
    • 産業動向−変化するシナリオと発展への取り組み
    • IP/特許分析
  • インパクト解析
    • 勝因と技術のギャップ
    • アナリスト分析−歪シリコン技術の発展

第5章 変化するシナリオ−シリコンセクターにおける主要な開発

  • 歪シリコン−設計と製造の発展−世界
    • 歪シリコンプロセス制御システム(英国)
    • SOI層転写の新技術(米国)
    • 歪シリコンデバイス設計用EDAツール(英国)
  • 歪シリコン−デバイスレベルの発展−世界
    • SOI歪測定用ナノビーム電子解析技術(日本)
    • 歪シリコンを用いた電気光学変調器(デンマーク)
    • 歪半導体薄膜(米国)
    • 薄膜欠陥検出用X線トポグラフィー(米国)
    • 次世代MOSFET用歪化合物半導体技術(米国)

第6章 主要特許と主要企業・研究機関

  • 歪シリコンセクターの主要特許
    • 北米の特許
    • その他の地域の特許
  • 主要企業・研究機関
    • 企業
    • 研究機関

第7章 意思決定支援データベース

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