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市場調査レポート
歪シリコン技術の世界的発展
Global Advances in Strained Silicon Technology
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「歪シリコン技術の世界的発展」は2007年12月にテクニカル・インサイツより発行されました。 当レポートは税抜￥482,820より販売しています。
当報告書では、歪シリコン技術の世界的発展の分析とともに、技術採択に影響を与える因子、応用シナリオ、主要な開発などについて、概略下記の構成で取り上げております。
第1章 エグゼクティブサマリー
- 調査範囲と調査方法
- 歪シリコン技術の概要と主な研究成果
第2章 歪シリコン−技術評価と応用
第3章 技術導入因子の分析
- 技術導入に影響を与える要因−促進因子と阻害因子
- 利益と制限−技術ニーズ分析
第4章 シナリオとインパクト解析
- シナリオ分析
- 産業動向−変化するシナリオと発展への取り組み
- IP／特許分析
- インパクト解析
- 勝因と技術のギャップ
- アナリスト分析−歪シリコン技術の発展
第5章 変化するシナリオ−シリコンセクターにおける主要な開発
- 歪シリコン−設計と製造の発展−世界
- 歪シリコンプロセス制御システム（英国）
- SOI層転写の新技術（米国）
- 歪シリコンデバイス設計用EDAツール（英国）
- 歪シリコン−デバイスレベルの発展−世界
- SOI歪測定用ナノビーム電子解析技術（日本）
- 歪シリコンを用いた電気光学変調器（デンマーク）
- 歪半導体薄膜（米国）
- 薄膜欠陥検出用X線トポグラフィー（米国）
- 次世代MOSFET用歪化合物半導体技術（米国）
第6章 主要特許と主要企業・研究機関
第7章 意思決定支援データベース
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