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市場調査レポート

世界における半導体マイクロリソグラフィ技術の進歩

Global Advances in Semiconductor Microlithography Technologies

発行 Technical Insights, Inc.
出版日 2007年06月 商品コード 53049
ページ情報 英文 126 Pages
価格
US$ 6,000 換算 ¥ 471,240 (税抜) Web Access (Regional License)
US$ 6,500 換算 ¥ 510,510 (税抜) Hard Copy & Web Access (Regional License)


世界における半導体マイクロリソグラフィ技術の進歩」は2007年06月にテクニカル・インサイツより発行されました。 当レポートは126 Pagesで構成され、税抜¥471,240より販売しています。

概要

多様な最先端産業の戦略的調査を専門としております米国の調査会社 Technical Insights, Inc. (本社:テキサス州) では、世界における半導体マイクロリソグラフィ技術の進歩について調査分析し、体系的にまとめた報告書 "Global Advances in Semiconductor Microlithography Technologies" を発行いたしました。

当報告書では、光学リソグラフィ、EPL&マスクレスリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィなど次世代の各種リソグラフィ技術について調査分析し、メリット、課題、世界の開発事例、将来見通し、資金調達動向などをまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。

第1章 エグゼクティブサマリー

  • リソグラフィ技術の概要
    • 半導体ファブリケーションにおけるリソグラフィ技術とその役割
    • 焦点・主要調査結果
  • 調査範囲・調査手法

第2章 次世代リソグラフィの探求

  • 重要性
    • サポート技術の進化の必要性
    • 主要課題
  • 次世代リソグラフィ候補の分析
    • 次世代リソグラフィの動向
    • 次世代リソグラフィ技術

第3章 光学リソグラフィ

  • 光学リソグラフィの概要と現状
    • 光学リソグラフィ:概要
    • 光学リソグラフィの現状と開発動向
  • 液浸リソグラフィ
    • 液浸リソグラフィ:概要
    • 液浸リソグラフィの技術上の課題
  • EUVL
    • EUVLの概要
    • 技術上のメリット
    • EUVLの研究グループ
    • EUVLの技術上の課題
  • 157nmリソグラフィ
    • 157nmリソグラフィの終わり
    • 技術上の課題
  • 主要技術開発I
  • 主要技術開発II

第4章 EPLとマスクレスリソグラフィ

  • イントロダクション
    • マスクレスリソグラフィ
    • EPL
    • LEEPL
  • マスクレスリソグラフィ
    • 電子ビームリソグラフィ
    • O-ML2とCP-ML2
    • イオンビームリソグラフィ
    • ミックス&マッチ戦略
  • EPL
    • EPLの現状
    • 技術上の課題と潜在的ソリューション
  • LEEPL
    • LEEPLの現状
    • メリットと課題
  • 主要技術開発

第5章 ナノインプリントリソグラフィ

  • イントロダクション・技術概要
    • イントロダクション
    • NIL技術とアプリケーション
  • 主要導入因子
    • NIL技術のメリット
    • 主要課題
    • 技術要件とNILの現状
  • 主要技術開発

第6章 次世代リソグラフィ市場の予測と資金調達分析

  • 将来見通し
    • NGL技術の概要
    • 光学リソグラフィの今後
    • 32nmのための157nm液浸リソグラフィ、など
  • 主要調査結果・財務支援

第7章 主要特許・コンタクト情報

第8章 意思決定支援データベース

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