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市場調査レポート
内蔵メモリ最新動向
Advances in Embedded Memories
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「内蔵メモリ最新動向」は2007年05月にテクニカル・インサイツより発行されました。 当レポートは140 Pagesで構成され、税抜￥472,080より販売しています。
多様な最先端産業の戦略的調査を専門とする米国の調査会社 Technical Insights, Inc.
(本社：テキサス州) では、内蔵メモリに関する最新動向について調査分析し、まとめた報告書 "Advances in Embedded
Memories" を発行いたしました。
当報告書では、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、FRAM、MRAM、相変化メモリ、カーボンナノチューブメモリなどの技術別概要とともに、分子メモリやポリマーメモリなど現在研究中のメモリ技術の動向などについても交え、概略下記の構成でお届けいたします。
第1章 エグゼクティブサマリー
第2章 DRAM、SRAM、フラッシュ技術
- 内蔵SRAMおよび内蔵DRAM
- 技術概要
- 技術導入要因
- 競合技術と応用：SWOT分析
- eSRAMおよびeDRAM部門における特筆すべき主な技術革新
- フラッシュ技術
- 技術概要
- 技術導入要因
- 競合技術と応用：SWOT分析
- フラッシュ技術における特筆すべき主な技術革新
第3章 FRAMおよびMRAM
- FRAM
- 技術概要
- 技術導入要因
- 競合技術と応用：SWOT分析
- FRAMにおける特筆すべき主な技術革新
- MRAM
- 技術概要
- 技術導入要因
- 競合技術と応用：SWOT分析
- MRAMにおける特筆すべき主な技術革新
第4章 相変化メモリとカーボンナノチューブメモリ
- 相変化メモリ
- 技術概要
- 技術導入要因
- 応用と競合技術
- 主な開発動向
- カーボンナノチューブメモリ
- 技術概要
- 技術導入要因
- 応用と競合技術：SWOT分析
- 主な開発動向
第5章 将来の内蔵メモリ
- 分子メモリ
- 技術概要
- 技術導入要因
- 応用と競合技術：SWOT分析
- 主な開発動向
- ナノクリスタルメモリ
- ゼロキャパシターメモリ
- 技術概要
- 技術導入要因
- 応用と他のメモリ技術との比較：SWOT分析
- 主な開発動向
- 研究中のメモリ
- ポリマーメモリ
- ツイントランジスターRAM
- バイオ分子デジタルメモリ
第6章 内蔵メモリ技術の将来見通し
- 内蔵メモリ技術および応用評価
- アナリストの見解
- 業界および学術界における研究動向
- 技術および応用動向
第7章 主な特許と主な連絡先
第8章 意思決定支援データベース
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