窒化ガリウム（GaN）ベース装置向けの基板：性能比較と市場評価（2009年）

当報告書では、サファイア、炭化珪素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、AIN、GaN-on-Si基板の研究開発上の課題や技術開発動向などについて調査を行っており、関連団体の情報とあわせて、概略下記の構成でお届けいたします。

第1章 エグゼクティブサマリー

• イントロダクション
• 技術サマリー
• 主なアプリケーション・デバイスの種類（GaN関連）
• 基板の供給・開発に関連する主な企業、研究機関、大学、政府機関
• 市場予測（2009年〜2013年）
• サマリーと結論
• 当報告書について

第2章 基板技術の状況

• 基板選択への影響因子（サファイア・SiC・GaN・AIN・Si）
• 基板材料の機能としての装置性能の比較
• 基板材料のサマリー
• 結晶成長
• 化合物基板
• 無極性（ノンポーラ）基板
• ダイヤモンド基板
• 基板材料の基本特性
• 利点の図表
• 基板材料の機能としての性能と信頼性の比較

第3章 GaN装置の主なアプリケーション

第4章 基板製造・開発に関連する機関のディレクトリとプロファイル

• 企業
  • サファイア
  • SiC
  • GaN
  • AIN
  • GaN-on-Si
  • シリコン
• 研究機関
  • SiC
  • GaN
  • AIN
  • GaN-on-Si
• �V窒化物・SiC基板に関する活動をを支援する政府機関と研究所
  • 北米
  • アジア
  • 欧州
  • オーストラリア
• 基板の供給または開発活動を行う機関に関する小プロファイル
  • 米国
    • II-VI Incorporated
    • Cree, Inc.
    • Crystal IS, Inc.
    • DARPA/MTO
    • HexaTech, Inc.
    • HRL Laboratories, LLC
    • Kyma Technologies, Inc.
    • Nitronex Corporation
    • North Carolina State University
    • ONR
    • Oxford Instruments/Technologies and Devices International, Inc.
    • Rubicon Technology
    • UCSB
  • フランス
    • Compagnie de Saint-Gobain
  • ドイツ
    • Fraunhofer IAF
  • ポーランド
    • TopGaN Ltd.
  • ロシア
    • Nitride Crystals Group
  • 日本
    • ユーディナデバイス
    • 京セラ
    • 三菱化学
    • 並木精密宝石
    • 日亜化学工業
    • 沖電気工業
    • サンケン電気
    • 信光社
    • 住友電気工業
    • 豊田中央研究所

第5章 市場予測

• GaNベースの装置
• 基板
• 代替基板の価格比較

図表