ワイドバンドギャップエレクトロニクス：技術動向と市場予測（2008年）

当報告書では、ワイドバンドギャップエレクトロニクス市場の現状と2007〜2012年の予測、主なサプライヤープロファイル、大学や研究センターの活動内容などについて、概略下記の構成で取り上げています。

第1章 エグゼクティブサマリー

• 概要
• 技術サマリー
• 用途と市場予測サマリー
• 主要企業概要

第2章 技術

• 基本的材料特性
• GaNとの格子不整合
• 材料比較
• 優先度の高い技術課題

第3章 電子デバイスの種類

• HEMT/HFET
• MESFET
• MOSFET
• BJT/HBT
• ショットキーダイオード／整流器／サイリスタ
• 圧電センサー／焦電センサー
• PINダイオード
• GaN/SiC MMIC（モノリシックマイクロ波集積回路）
• レコードパフォーマンス

第4章 ワイドバンドギャップエレクトロニクスの応用

• 特徴別市場セグメント
• ハイパワーマイクロ波エレクトロニクス
• ハイパワー、高電圧システム
• 高温環境
• TAM予測サマリー
• 業界別応用概要

第5章 ワイドバンドギャップエレクトロニクス市場予測

• 欠陥密度
• 価格と生産量の関係
• 3つのシナリオ
• 市場セグメント別予測：2007〜2012年
• 材料別収益予測
• サプライヤー市場シェア
• ウエハサイズとサプライヤー戦略

第6章 主要企業プロファイル

• 企業
• 研究センターおよび大学
• 政府機関

第7章 参考情報