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市場調査レポート

窒化ガリウム市場の分析と予測

Gallium Nitride 2005 - Technology Status, Applications and Forecasts

発行 Strategies Unlimited
出版日 2005年03月 商品コード 25811
ページ情報 英文 375 PAGES
価格
こちらの商品の販売は終了いたしました。

当商品の販売は、2011年07月19日を持ちまして終了しました。

概要

過去12年間にわたり、窒化ガリウム(GaN)に関する研究や商品開発が重点的に行われ、2000 年からは世界中で研究活動が行われるようになっております。2000 年にはわずか 350 社ほどであった研究機関は 2005 年初頭には 500 社以上にまで増加しました。

光ネットワークの調査で世界的に評判の高い米国の調査会社 Strategies Unlimited (本社: カリフォルニア州)では、窒化ガリウム市場に関して調査分析し、予測をまとめた報告書 “Gallium Nitride” を発行いたしました。

当報告書は、窒化ガリウムの特性、課題、新技術開発、用途分析、サプライヤのプロファイル、政府機関の取り組みと支援、用途および機器のタイプ別の市場予測(2009 年まで)などについて、概略下記の構成で取り上げています。

1. エグゼクティブサマリー

2. 窒化ガリウムの背景と材料特性

  • 歴史/初期用途
    • 結晶成長
    • 薄膜蒸着
    • P-ドーピング
    • エッチング
    • コンタクト形成
    • バンド構造
    • GaN 青色 LED
  • 基本材料特性
    • 結晶構造
    • バンドギャップ
    • 飽和電子ドリフト速度
    • 逆方向電場
    • 誘電率
    • 熱伝導率
    • 熱膨張係数
    • 放射線耐性
  • 競合材料メリット数値

3. 主な用途

  • オプトエレクトロニクス
    • LED
    • レーザーダイオード
    • UV 検出器
    • UV 光源
  • 電子装置
    • マイクロ波
    • 高温
    • 高出力

4. R&D 課題と取り組み

  • 最新状況
    • 基質
    • 蒸着膜の組成/質
    • P-ドーピング
    • エッチング
    • コンタクト
    • パッケージング
    • 歴史的レビュー
  • エピタキシャル蒸着型 GaN 薄膜
    • 現在の GaN 蒸着技術
    • LEO/ELOG
    • PENDEO
    • Cantilever Epi プロセス
    • Plasma-Assisted MBE/AP-MOCVD
  • コンタクト
    • 背景
    • 最近の実績
    • GaN コンタクトに関する研究を行っている研究センター
  • 基質とその品質
    • サファイア
    • SiC
    • GaN
    • AIN
  • GaN のエッチング
    • 背景
    • 最近の実績
    • エッチングの化学的性質と技術
    • 関連企業、大学、研究センター
  • ドーピング
    • 背景
    • 2003 年移行の主な取り組み
  • パッケージング
    • 光熱出力
    • LED 熱伝達と熱設計
    • パワーLED
    • 主な取り組み
    • 新規および今後のパッケージング技術
    • 電子機器のパッケージング

5. GaN ベースの機器の種類

  • オプトエレクトロニクス機器
  • 電子機器

6. 企業、学術機関および政府の取り組み

  • GaN 関連の産業的な取り組み
  • GaN 開発を行っている大学/研究センター
  • GaN 関連の政府の取り組みと支援
  • GaN 開発に携わっている主要企業の概要
  • GaN 開発に携わっている大学の概要
  • GaN 開発を支援している政府機関の概要
  • 台湾における GaN 開発と生産
  • 中国における GaN

7. 用途分析と市場予測

  • オプトエレクトロニクス用途
  • 電子用途
  • 市場予測(2005-2009 年)
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