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市場調査レポート
GaNベースの200VパワートランジスターEPC2010：リバースコスティング分析
EPC2010 GaN 200V power transistor Reverse Costing Analysis
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「GaNベースの200VパワートランジスターEPC2010：リバースコスティング分析」は2011年12月にSystem Plus Consultingより発行されました。 当レポートは税抜￥292,106より販売しています。
当レポートは、Efficient Power
Conversion(EPC)が開発した窒化ガリウム(GaN)ベースの次世代パワートランジスターEPC2010を詳細に分析したもので、詳細な写真、材料の分析、製造プロセスの流れ、経済面の綿密な分析、製造コストの内訳、販売価格の見積もりなどに加え、GaNトランジスター製造プロセスの変化についても検討し、概略下記の構成でお届けいたします。
第1章 概要/イントロダクション
第2章 企業プロファイル
- リバースコスティング分析の方法
- EPCの企業プロファイル
- 製品の検証
第3章 物理的な分析
- トランジスターの特性とマーキング
- パッド
- バンプ
- デバイスの寸法
- 接点
- 断面の分析
- バックエンドプロセス
- フロントエンドプロセス
- ゲート
- GaNエピタキシャル技術
- プロセスパラメーターのサマリー
- 総括
第4章 製造プロセスの流れ
- Si基板上でGaNエピタキシャル層を成長させるプロセスの流れ
- トランジスタープロセスの流れ
- バンプ形成プロセスの流れ
- ウエハー製造ユニットの解説
第5章 コスト分析
- 経済分析の主なステップ
- エピタキシー法のコスト
- ウエハーのコスト
- ステップ／設備／消耗品の内訳
- サプライチェーン分析
- プローブ検査のコスト
- バンプ形成、ダイシング、最終検査のコスト
- コンポーネントの製造原価
- 歩留まりについての総括
第6章 メーカー見積もり価格の分析
第7章 結論
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