|
当報告書では、300ミリ／Cu／Low
Kの収束における技術的・経済的影響について分析したもので、300ミリ／ウエハーツール、Cu薄膜／エッチング／CMP、Low
K材料の時期・トレンド・関連事項・市場分析を、概略下記の構成でまとめております。
第1章 イントロダクション
第2章 概要
- 技術関連事項についてのまとめ
- 市場予測についてのまとめ
第3章 300ミリウエハーとそのトレンド
- イントロダクション
- 業界コンソーシアム
- 300mmウェハーの利点
- 小型ICメーカーへの影響
- ASICメーカーへの影響
- コスト
- オートメーションへの影響
- ICメーカーによるファブ計画
- 300mmプライム
- 450mmファブ
第4章 Cuに関する課題とそのトレンド
- Cuの利点
- Cu処理技術に関する課題
- 金属付着
- バリア
- 研磨
- 計測
- アルミニウムダマシンとの競合
- 機器サプライヤ向け銅電解めっき製品
- ICメーカーによるCu利用計画
- サマリー
第5章 低誘電体層間絶縁膜に関する課題とそのトレンド
- イントロダクション
- 理想的な誘電体
- 低誘電体層間絶縁膜の種類
- 処理に関する課題
- サマリー
第6章 市場分析
- 半導体市場
- 市場回復への道のり
- 市場予測に関する仮定
- 300mmウェハー市場
- 300mm機器市場
- Cu処理機器市場
- Low K市場
| 
その他のカテゴリ
