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市場調査レポート
2020年までのパワーディスクリート半導体市場：ハイブリッド車、太陽光発電、風力エネルギー市場での需要拡大がMOSFETとIGBTの追い風に
Power Discretes Market to 2020 - Increased Demand from Hybrid Electric Vehicles, Solar Photovoltaic and Wind Energy Markets to Benefit MOSFETs and IGBTs
| 発行 |
GBI Research |
| 出版日 |
2010年08月 |
商品コード |
128641 |
| ページ情報 |
英文 Pages: 115 |
| 価格 |
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「2020年までのパワーディスクリート半導体市場：ハイブリッド車、太陽光発電、風力エネルギー市場での需要拡大がMOSFETとIGBTの追い風に」は2010年08月にGBI Researchより発行されました。 当レポートはPages: 115で構成され、税抜￥281,645より販売しています。
パワーディスクリート半導体とは、回路素子を1つだけ組み込み個別部品として使用されるパワー半導体です。その用途は、スマートフォンや家電製品、ハイブリッド車や電気自動車、風力発電や太陽光発電など多岐にわたっており、今後市場はさらに大きく拡大すると見られています。
当レポートは、世界のパワーディスクリート半導体市場を取り上げ、成長促進要因や阻害要因、主要市場の成長見通しなどを分析したもので、製品分野別の予測や主要メーカー各社のプロファイルなども盛り込み、概略以下の構成でお届けいたします。
第1章 目次
第2章 イントロダクション
第3章 世界のパワーディスクリート半導体市場
第4章 世界のパワーディスクリート半導体市場の動向
- 主な成長促進要因
- 主な成長阻害要因
- 業界が直面する主な課題
- ファイブフォース分析
- PEST（政治、経済、社会、技術）分析
- 市場規模とエンドユーザーベースの予測、2005〜2020年
- 各分野の有望性に関する分析
- サプライチェーン分析
- 競合分析、2009年
- 売上高予測
- 市場の評価（販売量と価格設定についての分析）、2005〜2020年
- 各地域市場の分析
第5章 MOSFET
- 概要
- ビジネスチャンスとリスク
- 主な成長促進要因
- 主な成長阻害要因
- エンドユーザー分析、2009年
- 売上高予測
第6章 IGBT
- 概要
- ビジネスチャンスとリスク
- 主な成長促進要因
- 主な成長阻害要因
- エンドユーザー分析
- 売上高予測とトレンド
第7章 整流器/ダイオード
- 概要
- ビジネスチャンスとリスク
- 主な成長促進要因
- 主な成長阻害要因
- エンドユーザー分析
- 予測とトレンド
第8章 サイリスター
- 概要
- ビジネスチャンスとリスク
- 主な成長促進要因
- 主な成長阻害要因
- エンドユーザー分析
- 予測とトレンド
第9章 バイポーラ接合トランジスター(BJT)
- 概要
- ビジネスチャンスとリスク
- 主な成長促進要因
- 主な成長阻害要因
- エンドユーザー分析
- 予測とトレンド
第10章 主要企業
- Infineon Technologies AG
- Fairchild Semiconductor International, Inc.
- 東芝セミコンダクター
- STMicroelectronics
- Vishay Intertechnology, Inc. (VSH)
- International Rectifier Corporation (IRF)
第11章 付録
- GBI Researchについて
- 市場の定義
- 略語
- 調査手法
図表
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