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市場調査レポート

3ビット/セルNANDフラッシュメモリーの比較

Comparison of 3-bit per cell NAND Flash Memories

発行 Forward Insights
出版日 2009年08月 商品コード 97634
ページ情報 英文 54 Pages
価格
US$ 3,499 換算 ¥ 274,811 (税抜) PDF by E-mail (Unlimited User License)


「3ビット/セルNANDフラッシュメモリーの比較」は2009年08月にフォワード・インサイツより発行されました。 当レポートは54 Pagesで構成され、税抜￥274,811より販売しています。

概要

当レポートでは、SanDisk/東芝、Hynix、Samsung各社の3ビット/セルNANDフラッシュメモリーのアーキテクチャーと主なパラメーターを比較し、それぞれの長所と短所などを分析しながら、概略下記の構成でお届けいたします。

エグゼクティブサマリー

イントロダクション

3ビット/セルNANDフラッシュメモリー

  • SanDisk/東芝の56nm 16Gb 3ビット/セルNANDフラッシュメモリー
    • サマリー
    • ページバッファー
    • キャッシュアルゴリズム
    • ソースラインバイアスエラー補正
    • パワールーティング
    • データパス
  • オールビットラインとインターリーブアーキテクチャー
    • プログラムスピード
    • ABL：スケーラビリティ
  • Hynixの48nm 32Gb 3ビット/セルNANDフラッシュメモリー
    • サマリー
    • チップアーキテクチャー
    • パスビットディテクター回路
    • スマートブラインドプログラムアルゴリズム
    • スタートバイアス制御プログラムアルゴリズム
  • 32Gb 32nm 3ビット/セルSanDisk/東芝
    • サマリー
    • チップアーキテクチャー
    • プログラムによるプログラミング前の検証
    • コンパクト列デコーダ
    • 拡大コラムアーキテクチャー
  • Samsung 51nm 16Gb 3ビット/セルNANDフラッシュメモリー
    • サマリー

参考情報

著者について

今後の見通しについて

レポート案内

図表
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