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市場調査レポート
主なNAND型フラッシュメモリーの設計における知的財産権
Key NAND Flash Memory Design Intellectual Property
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「主なNAND型フラッシュメモリーの設計における知的財産権」は2009年07月にフォワード・インサイツより発行されました。 当レポートは152 Pagesで構成され、税抜￥785,321より販売しています。
当報告書では、NAND型フラッシュメモリーのセンシングアーキテクチャ、電源電圧のノイズ補償、プロミングアルゴリズムなどに関連する主要知的財産権について調査分析し、多重NAND型フラッシュメモリーの課題などもまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。
- 調査手法
- 多重NAND型フラッシュメモリーの課題
- 主なNAND型フラッシュメモリーの知的財産権
- 多重メモリーのセンシングアーキテクチャ
- 電源電圧のノイズ補償
- 粗微動プログラミング
- 逐次的ページプログラミング
- フローティングゲート間のノイズカップリングの低減と背景パターンの依存
- センシングとページバッファの改善
- 負の閾値のセンシング
- プログラムディスターブ
- 温度補償
- 高電圧スイッチ
- 充電ポンプ
- 符号化スキームとエラー訂正コード
- リファレンス
- 著者について
- 図表
特許権者の例
- Hynix
- Micron
- Samsung
- SanDisk
- STMicroelectronics
- 東芝
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