グローバル インフォメーション ホームへ 株式会社グローバルインフォメーション
サイトマップ
ホーム
営業品目
閲覧サービス
委託調査
調査会社・出版社一覧
カタログ一覧
会社概要
お問い合わせ

RSSフィード
カテゴリ
その他のカテゴリ

Yole Developpement 社
調査資料リスト
Yole Developpement 社 調査資料リスト

国際会議/展示会に参加しませんか?
市場調査レポート

主なNAND型フラッシュメモリーの設計における知的財産権

Key NAND Flash Memory Design Intellectual Property

発行 Forward Insights お電話でのお問い合わせ
出版日 2009/07 ページ情報 152 Pages
商品コード 91536
価格 US $ 9,999 換算 -> ¥ 909,409 (税抜) より 価格一覧
US $ 9,999 換算 -> ¥ 909,409 (税抜) PDF by Email (Local License)
US $ 11,499 換算 -> ¥ 1,045,834 (税抜) PDF by Email (Global License)
適用為替レート (TTS: 90.95)
→ ご購入方法について
納品の目安
PDF by E-Mail
即日から2営業日
Hard Copy/CD-ROM
約5営業日前後
概要 原文目次
※こちらの商品は英文になります。

当報告書では、NAND型フラッシュメモリーのセンシングアーキテクチャ、電源電圧のノイズ補償、プロミングアルゴリズムなどに関連する主要知的財産権について調査分析し、多重NAND型フラッシュメモリーの課題などもまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。

  • 調査手法
  • 多重NAND型フラッシュメモリーの課題
  • 主なNAND型フラッシュメモリーの知的財産権
    • 多重メモリーのセンシングアーキテクチャ
    • 電源電圧のノイズ補償
    • 粗微動プログラミング
    • 逐次的ページプログラミング
    • フローティングゲート間のノイズカップリングの低減と背景パターンの依存
    • センシングとページバッファの改善
    • 負の閾値のセンシング
    • プログラムディスターブ
    • 温度補償
    • 高電圧スイッチ
    • 充電ポンプ
    • 符号化スキームとエラー訂正コード
  • リファレンス
  • 著者について
  • 図表

特許権者の例

  • Hynix
  • Micron
  • Samsung
  • SanDisk
  • STMicroelectronics
  • 東芝
関連商品
グラフィックスDRAM：新たな競合環境 ソリッドステートドライブとマルチビット/セルNANDフラッシュメモリーのECC・信号処理技術 新しいメモリー技術 NANDの四半期毎動向：2009年第4四半期 エンタープライズSSD：今日における統合の展望
ページ先頭へ
FAQ 利用規約 サイトマップ
月曜 - 金曜 / 9:30 - 18:30
TEL: 044-952-0102
E-mail: jp-info@gii.co.jp

世界の市場調査資料 総合サイト
© Copyright 1996-2010, Global Information, Inc. All rights reserved.