相変化メモリ（PCM：Phase Change Memory）の新たな段階

当商品の販売は、2009年12月16日を持ちまして終了しました。

アップデート版はこちらになります。

相変化メモリ（PCM：Phase Change Memory）の新たな段階：第2版

Phase Change Memory Enters a New Phase 2nd Edition

出版日: 2009年10月

商品コード: 100444

概要

当報告書では、相変化メモリ（PCM）と既存の半導体メモリ（SRAM・DRAM・NOR型フラッシュ・NAND型フラッシュなど）を比較分析し、主要ベンダーのPCMへの取り組み、今後の技術ロードマップ、2015年までの市場予測・価格予測などもまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。

エグゼクティブサマリー

メモリ概要

• イントロダクション
• メモリ技術の階層
• SRAM
• DRAM
• NOR型フラッシュ
• NROM
• NAND型フラッシュ

PCM（相変化メモリ）

• イントロダクション
• 相変化材料
• メモリセルのコンセプト
• ベーシックオペレーション
• メモリセルのバリエーション
• セレクションデバイス
• PCMの特性
• マルチレベルセルPCM
• デバイスレイアウト
• PCMの信頼性
• コスト作用因子
  • ダイサイズ
  • プロセスの複雑性
• 技術のスケーリング
  • スケーリングパラメーター
  • ロードマップ

PCMの開発状況

• PCM開発状況
• ATMI, Inc.
• BAE Systems
• CAMELS
• Elpida
• Hynix Semiconductor
• IBM
• IMEC
• ITRI
• Macronix International
• Nanochip
• Numonyx (Intel/ST)
• NXP Semiconductors
• Ovonyx
• Qimonda AG
• Renesas Technology
• Samsung Electronics
• STMicroelectronics
• ULVAC

市場予測

• アプリケーション
• 市場

リファレンス

図表

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