Intel社におけるNAND型およびNOR型フラッシュメモリー戦略

In-Stat社による5ヶ年収益予測では、NAND型フラッシュメモリー市場がCAGRで30%、NOR型フラッシュメモリー市場がCAGRで3%成長すると予測されています。

半導体、高度通信機器およびサービスに関する市場調査、分析及び予測を専門に行っている In-Stat（本社：米国）では、Intel社におけるNAND型およびNOR型フラッシュメモリー戦略について調査分析し、体系的にまとめた報告書 "Intel and Flash: Playing in Both NAND and NOR" を発行いたしました。

当報告書では、世界のフラッシュメモリー市場とIntel社の戦略について調査分析し、Intel社の戦略における合理性、市場・他企業への影響力、NAND型・NOR型フラッシュメモリー市場の収益予測、Intel社の製造容量、市場シェア、競合環境、価格動向などについてまとめ、概略下記の構成でお届けいたします。

エグゼクティブサマリー

イントロダクション

Intel社における取り組み：NOR型フラッシュメモリー

• 2006年におけるリストラクチャリング
• 2003年における戦略転換
  • 戦略転換の理由
  • 他企業への影響
  • 将来的成果
• NOR型製品のラインナップ・ロードマップ
  • 製品構成の牽引要素
  • Spansion社のMirrorBitによる脅威
• PRAM
• 製造容量
  • ファブ統合の合理性
  • 戦略計画の失敗
• 価格分析
• 競合・市場における位置付け
• 市場シェア vs 収益性
• 市場予測
• 産業見通しとIntel社への影響

IMフラッシュ技術

• IMフラッシュ技術：概要
• ビジネス構造
• IPに関する課題
• NANDピン配列の標準化に向けた取り組み
• 製造容量
• NAND型の価格下落
• 競合・市場における位置付け
• NAND型のベンダー分析
  • Samsung
  • 東芝
  • SanDisk
  • Hynix
• 市場予測
  • 今後の市場牽引要素

総論

• Intel社への期待
• スピンアウトという選択肢
• 市場機会と競合上の脅威

図表