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市場調査レポート
RFパワー半導体:ケイ素・窒化ガリウム・ヒ化ガリウム・炭化ケイ素を実装した高出力・高周波機器
RF Power Semiconductors - Silicon, Gallium Nitride, Gallium Arsenide, and Silicon Carbide High-Power RF Devices
| 発行 |
ABI Research |
| 出版日 |
2011年12月 |
商品コード |
210087 |
| ページ情報 |
英文 58 Pages |
| 価格 |
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「RFパワー半導体:ケイ素・窒化ガリウム・ヒ化ガリウム・炭化ケイ素を実装した高出力・高周波機器」は2011年12月にABIリサーチより発行されました。 当レポートは58 Pagesの構成でお届けいたします。
当レポートでは、RFパワー半導体(出力5ワット以上、動作周波数3.8GHz以下)の世界市場の最新技術・市場動向について分析し、様々な素材・技術を実装した機器の技術的動向、部門別の市場動向と今後の予測、主要企業・技術の市場シェア、主要企業のプロファイルなどの情報を盛り込んで、概略以下の構成でお届けします。
第1章 エグゼクティブ・サマリー
- RFパワー:ワイヤレス通信の促進要因
- 将来展望:歴史は繰り返す
- 技術促進要因
- ケイ素(Si)
- 炭化ケイ素(SiC)
- ヒ化ガリウム(GaAs)
- 窒化ガリウム
- RFパワー半導体デバイスの実装
- RFパワー半導体の市場と予測
第2章 RFパワー半導体機器の技術の影響
- RFパワー半導体機器の導入
- デバイス技術
- シリコン・バイポーラとシリコンFET
- 炭化ケイ素(SiC)機器
- ヒ化ガリウム(GaAs)機器
- 窒化ガリウム(GaN)機器
- RFパワー機器の実装
- 酸化ベリリウム(BeO)と窒化アルミニウム(AlN)の実装
- プラスチックの実装
- 最新の金属化合物の実装
第3章 RFパワー半導体機器の市場
- 市場の概況
- 予測手法
- 旧版の時点からの変化
- ワイヤレス・インフラストラクチャー
- 軍事
- 産業・化学・医療(ISM)
- 放送
- 民間用アビオニクス(航空電子工学)と航空交通管制
- 携帯電話以外の通信手段(Non-Cellular Communications)
- RFパワー半導体の市場予測:概要
- 全部門に関する予測
- ワイヤレス・インフラストラクチャー以外の部門の予測
- RFパワー半導体機器の市場シェア計測
- ベンダー別市場シェア
- 部門別市場シェア
- 技術別市場シェア
- 結論
第4章 企業プロファイル
- Andrew (CommScope Corp)
- Beam Power Technology
- Cree Semiconductor
- Ericsson
- Freescale Semiconductor
- Harris Corp
- HVVi Semiconductor Inc
- Infineon Technologies
- Integra Technologies
- M/A-Com PHO
- Microsemi Corp
- 三菱電機
- Nitronex Corp
- Nujira Ltd
- NXP Semiconductors
- Powerwave Technologies
- RFMD
- Rockwell Collins
- STMicroelectronics
- 住友電工デバイス・イノベーション(SEDI)
- Toshiba Corp
- TriQuint Semiconductor
- TT Electronics Semelab Limited
第5章 企業連絡先一覧
第6章 略語集
図表一覧
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