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市場調査レポート

RFパワー半導体:ケイ素・窒化ガリウム・ヒ化ガリウム・炭化ケイ素を実装した高出力・高周波機器

RF Power Semiconductors - Silicon, Gallium Nitride, Gallium Arsenide, and Silicon Carbide High-Power RF Devices

発行 ABI Research
出版日 2011年12月 商品コード 210087
ページ情報 英文 58 Pages
価格
詳細については [お問い合わせ] ボタンよりお問い合わせ下さい。

RFパワー半導体:ケイ素・窒化ガリウム・ヒ化ガリウム・炭化ケイ素を実装した高出力・高周波機器」は2011年12月にABIリサーチより発行されました。 当レポートは58 Pagesの構成でお届けいたします。

概要

当レポートでは、RFパワー半導体(出力5ワット以上、動作周波数3.8GHz以下)の世界市場の最新技術・市場動向について分析し、様々な素材・技術を実装した機器の技術的動向、部門別の市場動向と今後の予測、主要企業・技術の市場シェア、主要企業のプロファイルなどの情報を盛り込んで、概略以下の構成でお届けします。

第1章 エグゼクティブ・サマリー

  • RFパワー:ワイヤレス通信の促進要因
  • 将来展望:歴史は繰り返す
  • 技術促進要因
    • ケイ素(Si)
    • 炭化ケイ素(SiC)
    • ヒ化ガリウム(GaAs)
    • 窒化ガリウム
    • RFパワー半導体デバイスの実装
  • RFパワー半導体の市場と予測
    • 市場の分類
    • 予測の含意

第2章 RFパワー半導体機器の技術の影響

  • RFパワー半導体機器の導入
    • デバイス技術
    • シリコン・バイポーラとシリコンFET
    • 炭化ケイ素(SiC)機器
    • ヒ化ガリウム(GaAs)機器
    • 窒化ガリウム(GaN)機器
  • RFパワー機器の実装
    • 酸化ベリリウム(BeO)と窒化アルミニウム(AlN)の実装
    • プラスチックの実装
    • 最新の金属化合物の実装

第3章 RFパワー半導体機器の市場

  • 市場の概況
    • 予測手法
    • 旧版の時点からの変化
    • ワイヤレス・インフラストラクチャー
    • 軍事
    • 産業・化学・医療(ISM)
    • 放送
    • 民間用アビオニクス(航空電子工学)と航空交通管制
    • 携帯電話以外の通信手段(Non-Cellular Communications)
  • RFパワー半導体の市場予測:概要
    • 全部門に関する予測
    • ワイヤレス・インフラストラクチャー以外の部門の予測
  • RFパワー半導体機器の市場シェア計測
    • ベンダー別市場シェア
    • 部門別市場シェア
    • 技術別市場シェア
  • 結論

第4章 企業プロファイル

  • Andrew (CommScope Corp)
  • Beam Power Technology
  • Cree Semiconductor
  • Ericsson
  • Freescale Semiconductor
  • Harris Corp
  • HVVi Semiconductor Inc
  • Infineon Technologies
  • Integra Technologies
  • M/A-Com PHO
  • Microsemi Corp
  • 三菱電機
  • Nitronex Corp
  • Nujira Ltd
  • NXP Semiconductors
  • Powerwave Technologies
  • RFMD
  • Rockwell Collins
  • STMicroelectronics
  • 住友電工デバイス・イノベーション(SEDI)
  • Toshiba Corp
  • TriQuint Semiconductor
  • TT Electronics Semelab Limited

第5章 企業連絡先一覧

第6章 略語集

図表一覧

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