潟Oローバル インフォメーションは、The Information Networkが発行した報告書「The GaAs IC Market (GaAs IC市場の分析と予測)」の販売を開始しました。
インフォメーションネットワークの当報告書によれば、無線需要の低迷によって、2011年のガリウム砒素(GaAs)IC市場の成長は、ほぼ横這い状態となりました。
「すべての携帯電話に内蔵されたパワーアンプ(PA)によって、携帯電話から音声やデータが、基地局タワーに転送され、さらには他の携帯番号やインターネットアドレスへ送信されます。
携帯電話のなかで最も重要なRFコンポーネントであるPAの多くは、現在、ガリウム砒素(GaAs)製の集積回路によって、占められています。」と、インフォメーションネットワークの社長であるDr. Robert Castellanoは述べています。
GaAs ICは、2010年には36%の成長率を見せたものの、無線、つまり携帯電話やWiFiに対する需要の低迷によって、2011年は1%の成長にとどまりました。
これは、2009年の成長率1.7%以来、もっとも低い成長率となっています。
無線/WiFi市場は、2012年には回復し、その結果としてGaAs IC市場は8%成長すると予想されています。
3G携帯電話のほとんどが最大5個のPAを内蔵し、GaAsが100%市場を独占しているため、市場規模は50億米ドル近くとなります。
さらに、携帯電話1台当たりのPAの内蔵数は増加しています。複雑な3Gシステム、国際的なローミングサポート、そしてデータローミングサポートがその要因となっています。
携帯電話1台ごとのPAの価格は、0.8ドルから、現在、2.9ドルへ上昇しています。 LTEや高度無線サービス(AWS)周波数帯が、より高度な無線端末で商用利用可能となれば、PAの価格は、さらに3.5ドル以上になるでしょう。