2010年6月1、2日の2日間にわたり、フォーシーズンズホテル椿山荘東京にて、株式会社グローバルインフォメーション、Yole Developpement共催により開催された国際フォーラム「 Power Electronics Japan Forum 2010：from Silicon to SiC and GaN 」は世界の産業関係者約100名が来場する盛況のうちに閉幕となりました。
フォーラムではSiC材料、ウェハーの導入に関する考察やGaN材料の可能性、先端Si技術の応用に関する世界各国主要各社による解説とパワーエレクトロニクスのグリーン技術対応に於ける課題とその展望について議論が行われました。14名の講演者からは各種エンドアプリケーションにおける材料の市場展開スピードの予測、SiCベースJFETの仕様、大型パワーモジュールへの熱対応技術等の詳細解説が行われるなか、1社からは過去6年間のSiC基盤生産が倍増、材料価格面では8年前と比較して6割減、今後の150ミリ(6インチ)生産についても平方センチあたり5ドル以下が目標とされる解説が注目を集めました。
(株)グローバルインフォメーションとYole Developmentでは当フォーラムの反響を受け、また、引き続き当該パワーエレクトロニクスの技術とその材料分野がダイナミックに推移するものと捉え、次回のフォーラム開催を検討しております。
