3ビット/セルNANDフラッシュ技術ベースのSSD、実用化は2011年に

カナダ、 オンタリオ州トロント発、 2008年9月17日−カナ徃の調査会社Forward Insightsは、 このほど発行したフラッシュメモリドライブ(SSD)に関する包括的な調査報告書「Solid State Drives: A Closer Look」のなかで、 3ビット/セルのNANDフラッシュ技術をベースにしたSSDが2011年に投入されるとの見通しを示しています。 3ビット/セル技術は、 SLC（シングルレベルセル）やMLC（マルチレベルセル）技術に比べ低コストですが、 パフォーマンスと耐久性が極めて低いうえ、 SSDで求められる技術的な安定性という点でも不安を抱えています。 しかし同社では、 今�ﾝアーキテクチャの技術革新が進めば、 一定の作業負荷という制約は受けるものの、 SSDで3ビット/セル技術を使うことは可能になると見ています。 報告書「Solid State Drives: A Closer Look」では、 SSDの技術、 アーキテクチャ、 信頼性に加え、 パフォーマンスと耐久性を向上させるための手法についても詳細に分析しています。 また、 極めて高い耐久性を持つSamsungのサーバーグレードNANDフラッシュなど、 デバイスレベルでNANDフラッシュの耐久性を高めるための方法も紹介されています。 現在、 各社から供給されているSSDのパフォーマンスと品質には、 極めて大きな幅があります。 同報告書には、 SSDに関係する特許の概要も示されており、 これを見れば、 誕生間もないこの市場で長期的に競争を勝ち抜く可能性が高いと思われる企業が分かります。 また、 企業向け製品、 低価格モバイルノートPC、 ノートPC、 デスクトップPCの各分野におけるSSD製品の比較や、 企業向けアプリケーションの作業負荷分析、 各市場における売上高、 出荷台数、 価格についての詳細な予測なども盛り込まれています。